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　　近期第三代半導(dǎo)體概念備受資本市場(chǎng)關(guān)注，Wind該概念指數(shù)自5月以來(lái)累計(jì)漲幅近60%，創(chuàng)下歷史新高。證券時(shí)報(bào)·e公司記者注意到，從上游芯片到設(shè)備，電子行業(yè)上市公司紛紛布局第三代半導(dǎo)體。

　　作為L(zhǎng)ED芯片龍頭，三安光電6月23日宣布總投資160億元的湖南三安半導(dǎo)體基地一期項(xiàng)目正式點(diǎn)亮投產(chǎn)，將打造國(guó)內(nèi)首條、全球第三條碳化硅垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈。據(jù)悉，該產(chǎn)線可月產(chǎn)3萬(wàn)片6英寸碳化硅晶圓。這將是三安光電向第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域擴(kuò)張的重要一步。

　　三安光電股份有限公司副董事長(zhǎng)、總經(jīng)理林科闖表示，湖南三安半導(dǎo)體的業(yè)務(wù)涵蓋襯底材料、外延生長(zhǎng)、晶圓制造及封裝測(cè)試等環(huán)節(jié)，打造了國(guó)內(nèi)第一條、全球第三條碳化硅垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈，能為客戶提供高品質(zhì)準(zhǔn)時(shí)交付產(chǎn)品的同時(shí)，兼具大規(guī)模生產(chǎn)的成本優(yōu)勢(shì)。

　　目前湖南三安半導(dǎo)體是中國(guó)首條碳化硅垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈，提供從襯底、外延、晶圓代工、裸芯粒直至分立器件的靈活多元合作方式，有利于形成當(dāng)?shù)貙捊麕О雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)聚落，加速上游IC設(shè)計(jì)公司設(shè)計(jì)與驗(yàn)證迭代，縮短下游終端產(chǎn)品上市周期。

　　LED芯片同行華燦光電最新表示，公司已通過(guò)定增投向第三代化合物半導(dǎo)體，業(yè)務(wù)進(jìn)一步向GaN功率器件延伸，未來(lái)下游輻射領(lǐng)域可從消費(fèi)電子擴(kuò)展至汽車電子、數(shù)據(jù)中心等各類應(yīng)用。此外，公司第三代半導(dǎo)體材料與器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室的各項(xiàng)工作也在有序推進(jìn)中，但是公司目前暫時(shí)沒有開展碳化硅的研發(fā)。

　　去年，華燦光電定增募集15億元，投入建設(shè)GaN基電力電子器件的研發(fā)與制造項(xiàng)目以及mini/Micro LED的研發(fā)與制造項(xiàng)目。

　　從事晶圓IDM生產(chǎn)模式的華潤(rùn)微也有布局第三代半導(dǎo)體。在5月份舉辦的年度股東大會(huì)上，公司首席運(yùn)營(yíng)官李虹博士介紹，公司第三代半導(dǎo)體碳化硅二極管實(shí)現(xiàn)銷售額突破；在近期機(jī)構(gòu)調(diào)研中，公司高管表示公司擁有國(guó)內(nèi)首條6英寸商用碳化硅生產(chǎn)線，碳化硅二極管產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)銷售額突破，預(yù)計(jì)今年將進(jìn)一步推出SiC MOSFET產(chǎn)品；砷化鎵產(chǎn)品6英寸和8英寸平臺(tái)正在同步開展研發(fā)，計(jì)劃在今年向市場(chǎng)推出有關(guān)產(chǎn)品。

　　業(yè)內(nèi)人士指出，第三代半導(dǎo)體投資更小，不用百億元就可以做一條碳化硅的IDM產(chǎn)線。相比之下，硅的生產(chǎn)線投資強(qiáng)度更大。

　　作為A股IGBT龍頭，斯達(dá)半導(dǎo)也籌劃通過(guò)非公開發(fā)行，募資不超35億元，用于高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目、補(bǔ)充流動(dòng)資金。

　　去年12月，斯達(dá)半導(dǎo)投資2.29億元，建設(shè)年產(chǎn)8萬(wàn)顆車規(guī)級(jí)全碳化硅功率模組生產(chǎn)線和研發(fā)測(cè)試中心。

　　有業(yè)內(nèi)人士向證券時(shí)報(bào)·e公司記者介紹，碳化硅器件在驅(qū)動(dòng)電容電阻領(lǐng)域的生產(chǎn)工藝和技術(shù)已經(jīng)日趨成熟，被認(rèn)為可以代替IGBT，但是成本較貴；從功率模組封裝工藝上來(lái)說(shuō)，碳化硅模塊的封裝工藝要求比IGBT模塊要求更高，斯達(dá)半導(dǎo)模塊封裝技術(shù)面臨新的考驗(yàn)。

　　在設(shè)備端，晶盛機(jī)電介紹，公司近年布局的第三代半導(dǎo)體材料碳化硅的研發(fā)取得關(guān)鍵進(jìn)展，成功生長(zhǎng)出6英寸碳化硅晶體，公司將持續(xù)加強(qiáng)碳化硅長(zhǎng)晶工藝和技術(shù)的研發(fā)和優(yōu)化，并做好研產(chǎn)轉(zhuǎn)化，建立生長(zhǎng)、切片、拋光測(cè)試線，在量產(chǎn)過(guò)程中逐步打磨產(chǎn)品質(zhì)量，掌握純熟工藝和技術(shù)，公司碳化硅外延設(shè)備已通過(guò)客戶驗(yàn)證。

　　另外，華峰測(cè)控稱，去年公司的第三代半導(dǎo)體訂單顯著增長(zhǎng)，未來(lái)隨著氮化鎵、功率模塊和電源管理等新興應(yīng)用帶來(lái)大量增量需求。集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)產(chǎn)化加速推進(jìn)，測(cè)試設(shè)備涉及芯片制造的全部環(huán)節(jié)，與客戶具有較高的粘性將成為測(cè)試設(shè)備中巨大的優(yōu)勢(shì)。

　　據(jù)介紹，近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷突破，國(guó)產(chǎn)模擬及混合信號(hào)芯片進(jìn)入黃金發(fā)展期。尤其第三代半導(dǎo)體器件在快充、5G基站、新能源汽車、特高壓、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊，根據(jù)Yole預(yù)測(cè)， 2025年碳化硅功率器件市場(chǎng)規(guī)模將超30億美元，G砷化鎵器件市場(chǎng)規(guī)模將超7億美元，而華峰測(cè)控在第三代化合物半導(dǎo)體，尤其是氮化鎵領(lǐng)域布局較早，并已經(jīng)在第三代寬禁帶半導(dǎo)體功率模塊方面取得了認(rèn)證，量產(chǎn)，解決了多個(gè)砷化鎵晶圓測(cè)試的業(yè)界難題。